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超聲波探傷中影響缺陷定量的4種因素
  發(fā)布日期:2013-7-29 8:14:30   點(diǎn)擊次數(shù):1900 錄入:無損探傷|長沙宏特電子科技有限公司
  1、耦合與衰減的影響

  (1)耦合的影響:超聲波探傷儀探傷中,耦合劑的聲阻抗和耦合層厚嚏對(duì)回波高有較大的影響。

  由(1.37)式可知,當(dāng)耦合層厚度等于半波長的整數(shù)倍時(shí),聲強(qiáng)透射率與耦合劑性質(zhì)無關(guān)。

  當(dāng)耦合層厚度等于λ2/4的奇數(shù)倍,聲阻抗為兩側(cè)介質(zhì)聲阻抗的幾何平均值(Z2=√Z1Z3)時(shí),超聲波全透射。因此,實(shí)際探傷中耦合劑的聲阻抗.對(duì)探頭施加的壓力大小部會(huì)影響缺陷回波高度,進(jìn)而影響缺陷定量。

  此外,當(dāng)探頭與調(diào)靈敏度用的試塊和被探工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行恰當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,也會(huì)使定量誤差增加,精度下降。

  (2)衰減的影響:實(shí)際工件是存在介質(zhì)衰減的,由介質(zhì)衰減引起的分貝差△1=2αχ可知,當(dāng)衰減系數(shù)a較大或距離χ較大時(shí),由此引起的衰減△也較大。這時(shí)如果仍不考慮介質(zhì)衰減的影響,那么定量精度勢(shì)必受到影響。因此在探傷晶粒較粗大和大型工件時(shí),直測(cè)定材質(zhì)的衰減系數(shù)a,并在定量計(jì)算時(shí)考慮介質(zhì)衰減的影響.以便減少定量誤差。

  2、儀器及探頭性能的影響

  儀器和探頭性能的優(yōu)劣,對(duì)缺陷定量精度影響很大。儀器的垂直線性、衰減器精度、頻率、探頭形式、晶片尺寸、折射角大小等都直接影響回波高度。因此,在探傷時(shí),除了要選擇垂直線性好、衰減器精度高的儀器外,還要注意頻率、探頭形式、晶片尺寸和折射角的選擇。

  (1)衰減器精度和垂直線性的影響:A型脈沖反射式超聲波探傷儀 是根據(jù)相對(duì)波高來對(duì)缺陷定量的。而相對(duì)波高常常用衰減器來度量。因此衰減器精度直接影響缺陷定量,衰減器精度低定量誤差大。

  (2)頻率的影響:由此可知,超聲波頻率f對(duì)于大平底與平底孔回波高度的分貝差△Bf,有直接影響。f增加,△Bf減少.f減少。△Bf增加。因此在實(shí)際探傷中,頻率f偏差不僅影響利用底波調(diào)節(jié)靈敏度,而且影響用當(dāng)量計(jì)算法對(duì)缺陷定量。

  當(dāng)采用面板曲線圖對(duì)缺陷定量時(shí),儀器的垂直線性好壞將會(huì)影響缺陷定量精度。垂直線性差,定量誤差大。

  (3)探頭形式和晶片尺寸的影響:不同部位不同方向的缺陷,應(yīng)采用不同形式的探頭。如鍛件、鋼板中的缺陷大多平行于探測(cè)面,宜采用縱波直探頭。焊縫中危險(xiǎn)性大的缺陷大多垂直于探測(cè)面,宜采用橫波探頭。對(duì)于工件表面缺陷,宜采用表面波探頭。對(duì)于近表面缺陷,宜采用分割式雙晶探頭。這樣定量誤差小。

  晶片尺寸影響近場(chǎng)區(qū)長度和波束指向性,因此對(duì)定量也有一定的影響。

  (4)探頭K值的影響:超聲波傾斜入射時(shí)。聲壓往復(fù)透射率與入射角有關(guān)。對(duì)于橫波K值斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同。因此探頭K值的偏差也會(huì)影響缺陷定量。特別是橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí).不同K值探頭探測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差較大,當(dāng)K=0.7~1.5(βs=35°~55°)時(shí),回波較高,當(dāng)K=1.5~2.0(βs=55°~63°)時(shí),回波很低,容易引起漏檢。

  3、缺陷的影響

  (1)缺陷形狀的影響:試件中實(shí)際缺陷的形狀是多種多樣的,缺陷的形狀對(duì)其回波波高有很大影響。平面形缺陷波高與缺陷面積成正比。與波長的平方和距離的平方成反比;球形缺陷波高與缺陷直徑成正比,與波長的一次方和距離的平方成反比;長圓柱形缺陷波高與缺陷直徑的l/2次方成正比.與波長的一次方和距離的3/2次方成反比。

  對(duì)于各種形狀的點(diǎn)狀缺陷,當(dāng)尺寸很小時(shí),缺陷形狀對(duì)波高的影響就變得很小。當(dāng)點(diǎn)狀缺陷直徑遠(yuǎn)小于波長時(shí),缺陷波高正比于缺陷平均直徑的三次方.即隨缺陷大小的變化十分急劇。缺陷變小時(shí),波高急劇下降,很容易下降到探傷儀不能發(fā)現(xiàn)的程度。

  (2)缺陷波的指向性:缺陷波高與缺陷波的指向性有關(guān),缺陷波的指向性與缺陷大小有關(guān),而且差別較大。

  垂直入射于圓平面形缺陷時(shí).當(dāng)缺陷直徑為波長的2~3倍以上是,具有較好的指向性,缺陷回波較高。當(dāng)缺陷直徑低于上述值時(shí),缺陷波指向性變壞,缺陷回波降低。

  當(dāng)缺陷直徑大于波長的3倍時(shí),不論是垂直入射還是傾斜入射,都_可把缺陷對(duì)聲波的反射看成是鏡面反射。當(dāng)缺陷直徑小于波長的3倍時(shí),缺陷反射不能看成鏡面反射,這時(shí)缺陷波能量呈球形分布。垂直入射和傾斜入射都有大致相同的反射指向性。表面光滑與否,對(duì)反射波指向性已無影響。因此,探傷時(shí)傾斜入射也可能發(fā)現(xiàn)這種缺陷。

  (3)缺陷方位的影響:前面談到的情況都是假定超聲波入射方向與缺陷表面是垂直的,但實(shí)際缺陷表面相對(duì)于超聲波入射方向往往不垂直。因此對(duì)缺陷尺寸估計(jì)偏小的可能性很大。

  聲波垂直缺陷表面時(shí)缺陷波最高。當(dāng)有傾角時(shí),缺陷波高隨入射角的增大而急劇下降。聲波垂直入射時(shí),回波波高為l,當(dāng)聲波入射角為2.5°時(shí),波幅下降到1/lO,傾斜12時(shí),下降至l/1000,此時(shí)儀器已不能檢出缺陷。

  (4)缺陷性質(zhì)的影響:缺陷回波波高受缺陷性質(zhì)的影響。聲波在界而的反射率是由界面兩邊介質(zhì)的聲阻抗決定的。當(dāng)兩邊聲阻抗差異較大時(shí),近似地可認(rèn)為是全反射,反射聲波強(qiáng)。當(dāng)差異較小時(shí),就有一部分聲波透射,反射聲波變?nèi)。所以,試件中缺陷性能不同,大小相同的缺陷波波高不同?/P>

  通常含氣體的缺陷,如鋼中的白點(diǎn)、氣孔等,其聲阻抗與鋼聲阻抗相差很大,可以近似地認(rèn)為聲波在缺陷表面是全反射。但是,對(duì)于非金屬夾雜物等缺陷,缺陷與材料之間的聲阻抗差異較小,透射的聲波己不能忽略,缺陷波高相應(yīng)降低。

  另外,金屬中非金屬夾雜的反射與夾雜層厚度有關(guān),一般地說,層厚小于l/4波長時(shí),隨層厚的增加反射相應(yīng)增加。層厚超過l/4波長時(shí),缺陷回波波高保持在一定水平上。

  (5)缺陷位置的影響:缺陷波高還與缺陷位置有關(guān)。缺陷位于近場(chǎng)區(qū)時(shí),同樣大小的缺陷隨位置起伏變化,定量誤差大。所以,實(shí)際探傷中總是盡量避免在近場(chǎng)區(qū)探傷定量。

  (6)缺陷表面粗糙度的影響:缺陷表面光滑與否,用波長衡量。如果表面凹凸不平的高度差小于l/3波長,就可認(rèn)為該表面是平滑的,這樣的表面反射聲束類似鏡子反射光束。否則就是粗糙表面。

  對(duì)于表面粗糙的缺陷,當(dāng)聲波垂直入射時(shí),聲波被亂反射。同時(shí)各部分反射波由于有相位差而產(chǎn)生干涉,使缺陷回波波高隧粗髓度的增大而下降。當(dāng)聲波傾斜入射時(shí),缺陷回波波高隨著凹凸程度與波長的比值增大而增高。當(dāng)凹凸程度接近波長時(shí),即使入射角較大,也能接觸到回波。

  4、試件幾何形狀和尺寸的影響

  試件尺寸的大小對(duì)定量也有一定的影響。當(dāng)試件尺寸較小.缺陷位于3N以內(nèi)時(shí),利用底波調(diào)靈敏度并定量,將會(huì)使定量誤差增加。

  試件底面形狀不同,回波高度不一樣,凸曲面使反射波發(fā)散.回波降低;凹曲面使反射波聚焦,回波升高。對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向探測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面試件,但實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波低千平底面。實(shí)際探傷儀 探傷中應(yīng)綜合考慮以上因素對(duì)定量的影響,否則會(huì)使定量誤差增加。

  試件底面與探測(cè)面的平行度以及底面的光潔度、干凈程度也對(duì)缺陷定量有較大的影響。當(dāng)試件底面與探測(cè)面不平行、底面粗糙或沾有水跡、油污時(shí)將會(huì)使底波下降·這樣利用底波調(diào)節(jié)的靈敏度將會(huì)偏高,缺陷定量誤差增加。

  當(dāng)探測(cè)試件側(cè)壁附近的缺陷時(shí),由于側(cè)壁干涉的結(jié)果而使定量不準(zhǔn),誤差增加。側(cè)壁附近的缺陷,靠近側(cè)壁探測(cè)回波低,遠(yuǎn)離測(cè)壁探測(cè)反而回波高。為了減少側(cè)壁的影響,宜選用頻率高、晶片直徑大的指向性好的探頭探測(cè)或橫波探測(cè)。必要時(shí)還可采用試塊比較法來定量,以便提高定量精度。

 


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